Fig.2In-situXRDanalysisoftheinteractionsduringcycling.（a）XRDintensityheatmapfrom4oto8.5oofa2.4mgcm–2cellsfirstcycledischargeat54mAg–1andchargeat187.5mAg–1,wheretriangles=Li2S,square=AQ,asterisk=sulfur,andcircle=potentiallypolysulfide2θ.(b)ThecorrespondingvoltageprofileduringtheinsituXRDcyclingexperiment.材料形貌表征在材料科学的研究领域中，深圳扫卫生常用的形貌表征主要包括了SEM，深圳扫卫生TEM，AFM等显微镜成像技术。

由于参加成像的衍射束的数量不同，政府得到不同名称的高分辨像。大楼Fig.5所示计算机模拟像和实验所获得的高分辨像对比。

深圳扫卫生但这并不影响分析性的TEM拍摄高分辨像。在后焦面上的衍射波继续向前运动时，政府衍射波合成，政府在像平面上形成放大的像(电子显微像),在后焦面上插入大的物镜光阑时可以使两个以上的波干涉成像，称之为高分辨电子显微方法，所观察的像称之为高分辨电子显微像(高分辨显微像)。在这种衍射花样下，大楼在最佳聚焦条件下所拍的高分辨像，大楼不同于晶格条纹，一维结构像含有晶体结构的信息，即所得到一维结构像，如Fig.3（a）所示Bi系超导氧化物的高分辨一维结构像。

由于衍射条件和试样厚度不同，深圳扫卫生可以把具有不同结构信息的高分辨电子显微像分为五类加以说明：深圳扫卫生晶格条纹、一维结构像、二维晶格像(单胞尺度的像)、二维结构像（原子尺度像：晶体结构像）、特殊的像。二维结构像：政府得到如Fig.2（d）所示的衍射花样，政府用这样的衍射花样观察高分辨电子显微像时，参与成像的衍射波越多，高分辨像中所包含的信息也就越多。

一般来说，大楼200kev的高分辨TEM的分辨率为1.9Å，而200kev的分析型TEM为2.3Å。

深圳扫卫生同时解释高分辨像成像理论和分析技术的研究也取得了重要进展。用户可以随时通过选择个人资料图片来更改个人资料账户，政府从而保持根据喜好和收听习惯定制的体验。

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